产品名称
50W 808nm高功率巴条芯片
编号
所属分类
高功率激光芯片
重量
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零售价
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市场价
￥0.00
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数量
-
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性能参数
产品参数
结构尺寸
相关应用
波长
808
波长
808nm
功率
50W
| 巴条芯片 BB | 规格型号1 EB-BB-050-019-0808-10 | |||
| 参数 | 单位 | Min | Type | Max |
| 光学性能2 | ||||
| 中心波长 | nm | 808 | ||
| 中心波长偏差 | nm | ±10 | ||
| 输出功率5 | W | 50 | ||
| 快轴发散角（半高全宽）4 | Deg | 65 | 75 | |
| 慢轴发散角（半高全宽） | Deg | 7.5 | 10 | |
| 光谱宽度 (FWHM) | nm | 2.5 | 3.5 | |
| 偏振模式 | TM/TE | TE | ||
| 波长温度系数 | nm/℃ | 0.28 | ||
| 电学性能2 | ||||
| 光电转换效率 | % | 50 | 55 | |
| 斜率效率 | W/A | 1.25 | ||
| 阈值电流 | A | 8 | ||
| 工作电流 | A | 50 | 52 | |
| 工作电压 | V | 1.8 | ||
| 尺寸规格 | ||||
| 发光点数量 |
# |
19 | ||
| 发光点条宽 | μm | 150 | ||
| 发光点周期 | μm | 500 | ||
| 巴条填充因子 | % | 30 | ||
| 巴条腔长 | mm | 1.0 | ||
| 巴条高度 | μm | 135 | 145 | 155 |
| 巴条长度 | mm | 9.98 | 10 | 10.02 |
| 热学性能 | ||||
| 工作温度3 | ℃ | 25 | ||
| 存储温度3 | ℃ | -40~80 | ||
| 备注 | ||||
| 1. 规格型号命名规则： EB （长光华芯缩写）- BB （Bare Bar 缩写）–050 （连续输出功率 50W） -019（ 发光点数量是19个）- 0808 （中心波长是808nm）- 10（中心波长偏差是±10nm） | ||||
| 2. 以上测试温度为25度 | ||||
| 3. 避免在结露环境下存储和使用，超过规定温度工作会影响寿命 | ||||
| 4. 快轴准直后发散角≤0.5o | ||||
| 5. 超过正常功率范围使用会缩短使用寿命。 | ||||
| 版本号：BB01-202010B-R01 | ||||
关键词
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60W 808nm高功率巴条芯片
BC-30W 940nm 高功率单管芯片
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