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产品名称

100W 808nm高功率巴条芯片

高功率半导体激光器巴条芯片,输出功率从60W到300W不等,具有长寿命、高效的特点,广泛应用于高功率固体激光器泵浦源、医疗及科研等领域。
所属分类
数量
-
+
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性能参数
产品参数
结构尺寸
相关应用
波 长
808
应用领域
工业泵浦,科学研究,生物医学
波长
808nm
功率
100W
工作模式
CW
产品名称
100W 808nm高功率巴条芯片

 

巴条芯片 BB 规格型号1 EB-BB-100-049-0808-10
参数 单位 Min Type Max
光学性能2        
中心波长 nm   808  
中心波长偏差 nm ±10
输出功率5 W 100    
快轴发散角(半高全宽)4 Deg   65 75
慢轴发散角(半高全宽) Deg   8.5 10
光谱宽度 (FWHM) nm   3 4
偏振模式 TM/TE TE
波长温度系数 nm/℃   0.28  
电学性能2
光电转换效率 %   55  
斜率效率 W/A   1.25  
阈值电流 A   15  
工作电流 A   105 110
工作电压 V   1.8  
尺寸规格
发光点数量

#

  49  
发光点条宽 μm   100  
发光点周期 μm   200  
巴条填充因子 %   50  
巴条腔长 mm   1.5  
巴条高度 μm 135 145 155
巴条长度 mm 9.98 10 10.02
热学性能
工作温度3   25  
存储温度3 -40~80 
备注
1. 规格型号命名规则: EB (长光华芯缩写)- BB (Bare Bar 缩写)–100 (连续输出功率 100W) -049( 发光点数量是49个)- 0808 (中心波长是808nm)- 10(中心波长偏差是±10nm)
2. 以上测试温度为25度
3. 避免在结露环境下存储和使用,超过规定温度工作会影响寿命
4. 快轴准直后发散角≤0.5o
5. 超过正常功率范围使用会缩短使用寿命。
版本号:BB03-202010B-R01

 

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