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产品名称

500W 808nm高功率巴条芯片

高功率半导体激光器巴条芯片,输出功率从60W到300W不等,具有长寿命、高效的特点,广泛应用于高功率固体激光器泵浦源、医疗及科研等领域。
所属分类
数量
-
+
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性能参数
产品参数
结构尺寸
相关应用
波 长
808
应用领域
工业泵浦,科学研究,生物医学
波长
808nm
功率
500W
工作模式
QCW
产品名称
500W 808nm高功率巴条芯片

 

巴条芯片 BB 规格型号1 EB-BB-500-034-0808-03
参数 单位 Min Type Max
光学性能2        
中心波长 nm   808  
中心波长偏差 nm ±3
输出功率5 W 500    
快轴发散角(半高全宽)4 Deg   65 75
慢轴发散角(半高全宽) Deg   8.5 10
光谱宽度 (FWHM) nm   3.5 4
偏振模式 TM/TE TE
波长温度系数 nm/℃   0.28  
电学性能2
光电转换效率 % 56 58  
斜率效率 W/A   1.25  
阈值电流 A   25  
工作电流 A   410 430
工作电压 V   2.0  
脉冲宽度 us   200 500
脉冲频率 Hz   400  
脉冲占空比 %   8 10
尺寸规格
发光点数量

#

  34  
发光点条宽 μm   232  
发光点周期 μm   290  
巴条填充因子 %   80  
巴条腔长 mm   1.5  
巴条高度 μm 105 115 125
巴条长度 mm 10.20 10.25 10.30
热学性能
工作温度3   25  
存储温度3 -40~80 
水流速度 L/min   0.20  
备注
1. 规格型号命名规则: EB (长光华芯缩写)- BB (Bare Bar 缩写)–500 (准连续输出功率 500W) -034( 发光点数量是34个)- 0808 (中心波长是808nm)- 03(中心波长偏差是±3nm)
2. 以上测试温度为25度
3. 避免在结露环境下存储和使用,超过规定温度工作会影响寿命
4. 快轴准直后发散角≤0.5o
5. 超过正常功率范围使用会缩短使用寿命。
版本号:BB04-202010B-R01

 

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