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BC-30W 976nm 高功率半导体单管芯片

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产品名称

BC-30W 976nm 高功率半导体单管芯片

高功率半导体激光器单管芯片,具有长寿命、高效的特点,广泛应用于高功率激光器泵浦、激光照明,科研等领域。
编号
所属分类
重量
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数量
-
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性能参数
产品参数
结构尺寸
相关应用
关键指标
波长
976
应用领域
科学研究,工业泵浦
产品名称
BC-30W 976nm 高功率单管芯片
波长
976nm
功率
30W
工作模式
CW
单管芯片 BC 规格型号1 EB-BC-030-230-0976-3
参数 单位 最小值 典型值 最大值
光学性能2        
中心波长 nm 973 976 979
中心波长偏差 nm   ±3  
输出功率4 W   30  
腔长 mm   4.5  
宽度 μm   400  
光谱宽度 (FWHM) nm 3 4 5
快轴发散角(半高全宽) Deg   55 60
慢轴发散角(半高全宽) Deg   9.5 12
波长温度系数 nm/℃   0.33  
发光区宽度 μm   230  
厚度 μm 135 145 145
电学性能2
光电转换效率 % 55 63  
斜率效率 W/A 1.00 1.10  
阈值电流 A   1.5 2.0
工作电流 A   30 32
工作电压 V   1.55 1.7
其他
工作模式 -   CW  
偏振 % 95 97  
备注
1. 规格型号命名规则: EB (长光华芯缩写)-BC (Bare Chip 缩写)–30(输出功率是 30W) - 230( 发光区宽度是230μm)- 0976 (中心波长是976nm)- 03(中心波长偏差是 ±3nm)
2. 以上测试温度为25度
3. 避免在结露环境下存储和使用,超过规定温度工作会影响寿命
4. 超过正常功率范围使用会缩短使用寿命。
版本号:XP04-1807B-R01
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