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重大突破丨长光华芯高功率半导体单管芯片连续输出功率超132W
重大突破丨长光华芯高功率半导体单管芯片连续输出功率超132W
重大突破丨长光华芯高功率半导体单管芯片连续输出功率超132W
长光华芯2月份首次公布了100W以上单管芯片，该研究成果正式发表在国际SCI知名期刊《photonics》上。双结单管芯片室温连续功率超过132W（文献报道单管芯片最大功率的约两倍），是迄今为止报道的单管芯片功率最高水平，持续引领高功率芯片行业技术发展。文章题为“Double-JunctionCascadedGaAs-BasedBroad-AreaDiodeLaserswith132WContin
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Light期刊报道长光华芯最新研发成果丨VCSEL在室温下实现最高74%的效率
Light期刊报道长光华芯最新研发成果丨VCSEL在室温下实现最高74%的效率
Light期刊报道长光华芯最新研发成果丨VCSEL在室温下实现最高74%的效率
长光华芯CTO、四川大学王俊教授研究团队近期在Light:Science&Applications发布最新研究成果，通过理论模拟与实验相结合系统研究多结VCSEL在电光转换效率的优势。模拟表明，20结VCSEL在室温下可以实现超过88%的效率。并通过实验实现了15结VCSEL在室温下实现最高74%的效率，相应的微分量子效率超过1100%，是迄今为止报道的VCSEL最大的电光转换效率和微分量子效率，
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突破丨长光华芯高功率半导体单管芯片功率超过100W！
突破丨长光华芯高功率半导体单管芯片功率超过100W！
突破丨长光华芯高功率半导体单管芯片功率超过100W！
高功率半导体单管芯片作为激光器的核心元器件，其功率水平直接影响激光系统的体积与成本。历经多年迭代，商用芯片功率于2023年达到50W。更高功率至今仍是行业追逐的焦点，代表了芯片综合技术能力的发展水平。迄今已知最高水平近日，长光华芯超高功率单管芯片在结构设计与研制技术上取得突破性进展，研制出的单管芯片室温连续功率超过100W(芯片条宽500μm)，工作效率62%，是迄今为止已知报道的单管芯片功率最高
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新品首发丨长光华芯100mW CW DFB光通信芯片
新品首发丨长光华芯100mW CW DFB光通信芯片
新品首发丨长光华芯100mW CW DFB光通信芯片
12月28日，2023首届苏州光电技术产业论坛顺利举办，会议聚焦光通信、光电子技术应用前景和机遇，吸引了来自通信产业上下游、科研院所等的专业观众参会。长光华芯深度参与讯石的本次活动，在现场发布100mWCWDFB大功率光通信激光芯片新品。
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优秀技术奖丨长光华芯56GBd PAM4 EML CoC光通信芯片
优秀技术奖丨长光华芯56GBd PAM4 EML CoC光通信芯片
优秀技术奖丨长光华芯56GBd PAM4 EML CoC光通信芯片
12月28日，讯石英雄榜颁奖典礼在苏州顺利举办，光通信领域专家从参选产品的技术、成本、市场占有率、客户满意度和第三方权威验证等数据，并结合经营业绩、增长率、研发强度、专利等，评定出2023年度讯石英雄榜上榜单位， 长光华芯56GBdPAM4EMLCoC光通信芯片荣获第十届讯石英雄榜优秀技术奖。
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工业智造的“超级能量” | 一文解读长光华芯三大系统解决方案
工业智造的“超级能量” | 一文解读长光华芯三大系统解决方案
工业智造的“超级能量” | 一文解读长光华芯三大系统解决方案
激光是高端智能制造中的“超级工具”，其中，激光焊接由于其高质量、高精度、低变形、高效率等多重优势，在机械制造、汽车工业、微电子行业等领域广泛应用。在客户需求牵引下，长光华芯针对激光锡焊、家具封边、Mini/MicroLED激光巨量焊接等领域推出针对性解决方案。
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