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长光华芯牵头项目入选2018年度国家重点研发计划

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【摘要】:
科技部公示通知  5月7日,科技部公示了含“增材制造与激光制造”重点专项在内的8个2018年度国家重点研发计划拟立项公示清单。本次公布的项目总经费超过31亿元,“增材制造与激光制造”重点专项占到近6亿左右。“增材制造与激光制造”重点专项公示清单  长光华芯题为“面向制造业的大功率半导体激光器”的项目入选“增材制造与激光制造”重点专项,项目经费为2659万元,实施周期为3年。“面向制造业的大功率半导

科技部公示通知

   5月7日,科技部公示了含增材制造与激光制造”重点专项在内的8个2018年度国家重点研发计划拟立项公示清单。本次公布的项目总经费超过31亿元,“增材制造与激光制造”重点专项占到近6亿左右。

 

 

“增材制造与激光制造”重点专项公示清单

   长光华芯题为“面向制造业的大功率半导体激光器”的项目入选“增材制造与激光制造”重点专项,项目经费为2659万元,实施周期为3年。

 

“面向制造业的大功率半导体激光器”项目

   大功率光纤耦合半导体激光器的研制及产业化是增材制造与激光制造领域中的重点发展方向。国外相关研究起步早,投入大,具有先发优势。

 

   苏州长光华芯牵头的“面向制造业的大功率半导体激光器”项目旨在利用已有在半导体激光器领域的独特优势,突破大功率半导体激光芯片与高亮度光纤耦合模块在国产化、产业化过程中的技术难题,结合自动化及智能化,带动我国制造模式的转型。项目对核心半导体激光芯片国产化,对改变我国以往严重依赖国外进口芯片的被动局面,具有十分重要的战略意义。

 

   苏州长光华芯在外延、芯片、器件封装、光束整形、合束耦合等方面具有整体优势,本项目由苏州长光华芯牵头,汇聚了我国在大功率半导体激光器产业链上大部分重点优势企业、院校与研究所等骨干力量,形成了一支在理论研究、技术开发、产品实现和产业化等方面经验丰富的管理和技术创新团队。

 

   项目瞄准国际前沿技术,基于长光华芯的芯片技术和现有平台,重点研究国产大功率高亮度半导体激光器芯片,开展芯片封装、光束合成、光纤耦合等关键技术及半导体激光器失效机制等研究,重点突破芯片腔面特殊处理技术与工艺、大功率半导体激光器制造、集成、封装及可靠性等国产化、批量化生产技术,同时开展大功率光纤耦合半导体激光器在“增材制造和激光制造”领域的装备应用示范。

 

   多年来,苏州长光华芯专注中国“激光芯”,在半导体激光芯片国产化及大功率光纤耦合半导体激光器的研制及产业化方面取得了一定成果。

 

   在商业化单管芯片方面,目前的国际水平是15W@90μm条宽,长光华芯的单管芯片功率已经达到15W@90μm 条宽,巴条芯片功率达到准连续700W,接近或达到国际水平,均处于批量生产销售阶段。在大功率光纤耦合半导体激光器方面,长光华芯基于自产90μm 条宽单管芯片, 开发了单波长800W@200μm/NA0.22 光纤耦合模块,实现批量化生产销售,是国内目前少数能够提供800W 以上单波长光纤耦合商业化产品的厂家。

 

   本次长光华芯入选国家重点研发计划,是国家对我司在高功率半导体激光芯片领域成绩和地位的肯定,通过此次国家重点专项的逐步实施,长光华芯必将继续发挥优势,针对半导体直接加工的具体应用需求,着重打造适用的大功率高亮度光纤耦合半导体激光器产品平台,为客户提供更高效率与更低成本的解决方案,全力推动直接半导体激光市场发展。

 

 

 

走近长光华芯

   苏州长光华芯光电技术有限公司主要致力于高功率半导体激光器芯片、高速光通信半导体激光芯片、高效率半导体激光雷达芯片及相关光电器件和应用系统的研发生产和销售。

   公司拥有一批高层次的人才团队,并多次获得国家部委、省市区重大创新团队和领军人才殊荣,承担国家“863”、“973”,“国家重点研发计划”等多项国家级项目。

 

素材来源:科学技术部

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