长光华芯60kW 808nm宏通道叠阵模组斩获维科杯最佳半导体激光器技术创新奖！

08/06

2025

7月31日，“维科杯·OFweek2025激光行业年度评选”在深圳举办，长光华芯60kW 808nm高效率高亮度宏通道半导体激光器叠阵模组荣获最佳半导体激光器技术创新奖！

激光核聚变

激光核聚变是能够解决能源问题的一项非常有应用前景的技术，一直以来都是各国重点投入研发的项目，而激光核聚变的核心元器件钕玻璃激光器对泵浦源的功率、光束质量、稳定性、成本等都提出了很高要求，长光华芯关注到这一市场需求，研发了60kW 808nm高效率高亮度宏通道半导体激光器叠阵模组，并已参与国内外激光核聚变相关项目。

60kW 808nm宏通道叠阵模组

本次获奖的60kW 808nm高效率高亮度宏通道半导体激光器叠阵模组产品从芯片设计、外延生长、巴条封装、光学整形都采用了最先进的技术，在准连续模式下单巴条输出500W功率，产品总功率高达60kW，出光面尺寸仅为153.5mm✖10mm，电光效率高达70%，不仅在指标上达到国际领先水平，也有力推动了激光核聚变应用的发展。

创新点

01. 采用高电光效率外延结构设计、高填充因子的巴条结构设计和高效散热封装技术，电光效率高达70%；

02. 采用条纹镜合束技术，消除了74%暗区，实现在153.5mm的尺寸内堆叠120个巴条，功率密度提高了99%；

03. 模块化的设计使该产品作为单元模组可以进行更多数量的空间叠加组合，方便客户应用，也降低了维护成本

长光华芯

长光华芯致力于研发和生产半导体激光芯片，核心技术覆盖半导体激光行业最核心的领域，攻克了一直饱受桎梏的外延生长、腔面处理、封装和光纤耦合等技术难题，建成了完全自主可控的IDM工艺平台和量产线，是全球少数几家具备6吋线外延、晶圆制造等关键制程生产能力的IDM半导体激光器企业之一。

☑2吋、3吋、6吋三大量产线；

☑边发射EEL、面发射VCSEL两大产品结构；

☑GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）、GaN（氮化镓）、SiC（碳化硅）、SiPho（硅光）五大材料体系；

公司秉持“一平台，一支点，横向扩展，纵向延伸”发展战略，以半导体激光芯片为核心竞争力，横向扩展覆盖可见光、近红外、中红外到长波，纵向延伸“N+1”板块，推动光子技术赋能工业激光器、传感器、光通讯、激光显示与照明、激光医美等产业。中国激光芯，光耀美好生活！

上一篇: CIOE 2025丨长光华芯与您相约9月深圳光博会！

下一篇: 苏州光子大会顺利举办，长光华芯半导体激光芯片驱动“激光+”多场景应用！