核心技术

核心技术

Core Technology

外延生长技术

Epitaxial growth

外延生长是指在一定结晶取向的原有晶体（一般称为衬底）上延伸出并按一定晶体学方向生长单晶层的方法，这个单晶层被称为外延层。外延生长可以精确控制外延层的组分、厚度、界面、掺杂及均匀性，是半导体激光器制作的首步工序。外延生长的材料结构及质量直接决定了半导体激光器芯片的波长、功率、寿命及可靠性，是半导体激光器制作的核心技术之一。

外延生长技术

FAB晶圆工艺

FAB Wafer process

FAB晶圆工艺加工是将半导体激光器或其他光电器件外延片加工成激光器芯片的关键加工过程。利用光刻、刻蚀技术在在外延结构上制作微米和纳米级图形，完成半导体激光器等光电器件的横向结构的定义，构造半导体激光器的完整谐振腔和其他光电器件的功能结构。再利用介质膜和金属膜生长等工艺完成半导体激光器等光电器件电流注入电极的制备，完成半导体激光器芯片等光电芯片的制备。

FAB晶圆工艺

腔面解理钝化技术

Cavity surface passivation treatment equipment and technology

在腔面解理及钝化处理方面，采用超高真空（＜10-10torr）腔面解理钝化工艺，结合无吸收窗口的芯片新结构及工艺，提高了芯片抗腔面光学灾变损伤的功率。

腔面解理钝化技术

高亮度合束及光纤耦合

High brightness combined beam And fiber coupling

针对大功率半导体激光器光谱质量低、光束质量差、光谱质量低的难题，采用微光学器件和紧凑化设计降低激光器尺寸和体积、采用体光栅和面光栅混合光谱合成技术在保证高输出光束质量的情况下上百倍地提升输出功率、采用面光栅波长锁定技术降低中心波长漂移的同时提升光谱质量、采用高效率光纤耦合技术实现激光柔性传输、提高系统可靠性，通过设计创新性的结构和开发突破性的波长锁定及光谱合成技术，研制高功率、高亮度、高光谱质量的光纤耦合模块。

高亮度合束及光纤耦合