金奖+铜奖 | 长光华芯荣获两项Laser Focus World 创新大奖
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- 来源:
- 发布时间:2022-09-26
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【概要描述】近日,由 Laser Focus World 主办的“2022年度创新大奖”评选落下帷幕,长光华芯首次携30W高功率半导体单管芯片、680W 976nm 200um光纤耦合模块两款产品参选,分别荣获金奖和铜奖。
金奖+铜奖 | 长光华芯荣获两项Laser Focus World 创新大奖
【概要描述】近日,由 Laser Focus World 主办的“2022年度创新大奖”评选落下帷幕,长光华芯首次携30W高功率半导体单管芯片、680W 976nm 200um光纤耦合模块两款产品参选,分别荣获金奖和铜奖。
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近日,由 Laser Focus World 主办的“2022年度创新大奖”评选落下帷幕,长光华芯首次携30W高功率半导体单管芯片、680W 976nm 200um光纤耦合模块两款产品参选,分别荣获金奖和铜奖。
Laser Focus World Innovator Awards 2022
Laser Focus World Innovator Awards 由全球业内专家组成专业评委团,旨在表彰激光、光学和光电行业中各种不同的创新技术、产品和系统。其评审标准不仅包括产品的原创性和创新性,产品对设计者、系统集成商和用户的影响力,产品是否满足新的市场需求,是否利用了新技术以提高生产力,也是其重要的评判标准之一。
30W 单管芯片
Award Level: Gold Honoree
30W 高功率半导体单管芯片,基于长光华芯成熟的单管芯片技术工艺,通过优化芯片外延结构设计和提高腔面特殊处理技术,提升芯片功率。通过优化非对称大光腔结构波导层厚度,降低阈值,提高斜效率,并保持电压稳定。在优化激光芯片功率之外,长光华芯持续提高腔面特殊处理过程的材料质量降低缺陷比例,提高腔面的抗光学灾变损伤的能力,在追求更高输出功率和转换效率的同时,满足工业市场对激光器寿命的要求。
激光芯片是激光技术的关键,是整个激光产业链的技术核心,受外延生长技术、腔面钝化技术的限制,长期以来我国的半导体激光芯片的功率、寿命方面较之国外先进水平有较大的差距。自成立以来,长光华芯高度重视研发创新能力的建设,已建成全球少数几条半导体激光芯片自主可控的IDM垂直工艺平台,产品技术指标比肩国际领先水平。值得一提的是,长光华芯全新推出的更高功率、更高效率的35W商用单管芯片已开始供货。
680W 976nm光纤耦合模块
Award Level: Bronze Honoree
长光华芯680W 976nm 200um光纤耦合模块,光纤芯径220um,输出功率680W,数值孔径NA0.17,中心波长976nm,光谱半高宽≤5nm,高电流下电光效率50%,具有高电流下转换效率高、寿命长、波长可控等特点。该系列产品采用公司自主研发生产的高功率35W 976nm单管芯片,最大程度的节约单瓦材料成本,同时通过高效散热封装技术,确保芯片在更“冷”的状态下工作,保障模块长期可靠工作。
长光华芯在国内率先提出和倡导将976nm泵浦方案应用在工业领域,我们认为只有成本更低、功率更高的976nm泵浦方案才能满足日益增长的客户需求,976nm泵浦技术是市场的选择,也将会替代915nm逐渐成为未来的主流技术路线。
关于长光华芯
长光华芯是全球少数几家研发和量产高功率半导体激光芯片的公司,建成了完全自主可控的从芯片设计、MOCVD(外延)、光刻、解理/镀膜、封装测试、光纤耦合、直接半导体激光器等完整的工艺平台和量产线,拥有边发射激光芯片(EEL)和面发射激光芯片(VCSEL)两大产品结构,GaAs(砷化镓)和InP(磷化铟)两大材料体系,3吋、6吋两大量产线。
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