长光华芯高功率激光芯片突破66W

【概要描述】长光华芯致力于更高功率、更高亮度单管芯片的研发与生产，日前单管芯片功率突破性的达到66W。

分类：公司新闻
作者：
来源：
发布时间：2023-03-01
访问量：0

详情

高功率高亮度半导体激光芯片是激光产业链的基石与源头，激光芯片的功率、亮度、可靠性作为核心指标，直接影响激光系统的性能、体积与成本，是实现激光系统小型化、轻量化、智能化的前提和保证。长光华芯致力于更高功率、更高亮度单管芯片的研发与生产，日前单管芯片功率突破性的达到66W。

2023年1月，在photonics west 2023会议上，我们首次报道了在亮度保持不变的条件下（芯片条宽230μm），芯片出光功率提升20%（功率从32W提升到40W），最大功率超过51W。该芯片的功率亮度性能是230μm条宽下高功率激光芯片已知报道的最高水平。

Photonics west 报告的230μm 发光宽度芯片的功率曲线

长光华芯为实现高亮度条件下芯片功率的持续提升而不断探索。

2023年2月，基于在photonics west报道的芯片技术我司开发了更高功率芯片宽条宽半导体激光芯片，长光华芯在业内首次推出最大功率超过66W的单管芯片（热沉温度为室温），芯片条宽290μm，最大效率超过70%，工作效率超过63%，这是迄今已知报道的条宽在400μm以下高功率激光芯片的最高水平。