长光华芯闪耀2026美国西部光电展，以光为刃，开启全球化新章！

01/26

2026

美国时间1月20日，美国西部光电展（SPIE Photonics West 2026）在美国旧金山莫斯康展览中心盛大开幕，长光华芯携最新研发成果与全系列产品矩阵亮相1931展位。

全系产品矩阵亮相，彰显IDM平台硬核实力

围绕核心半导体激光芯片技术，长光华芯系统展示了高功率半导体激光芯片、激光雷达与3D传感芯片、高速光通信芯片、器件、激光器泵浦源、阵列、直接半导体激光器五大类多系列产品，覆盖了从核心芯片到系统应用的完整垂直产业链。

展出的亮点包括：65W高功率半导体单管芯片、

2D可寻址VCSEL芯片、200mW CW DFB通信芯片\200G PAM4 EML通信芯片等，充分展示了长光华芯在 IDM 模式下的研发深度与产业化能力。

前沿成果深度分享，对话全球光电精英

展会同期举办的LASE和OPTO学术会议是全球光电技术前沿交流的高端平台。长光华芯深度参与，展示了多项最新的研究成果和创新技术：

长光华芯 CTO 兼执行副总裁王俊博士（研发总监兼CTO助理肖垚博士代讲）受邀在 LASE – Optical Power Delivery II 会议上作题为 Multi-Junction VCSEL Technology to Boost Power Conversion Efficiency 的主题报告。报告重点分享了长光华芯在垂直腔面发射激光器（VCSELs）领域的突破性进展：通过引入隧穿结拓展纵向增益，并结合表面微结构抑制高阶横模，有效破解了 VCSEL 功率转换效率（PCE）与单模输出功率的长期瓶颈。

实验结果显示，15 结 VCSEL 在室温条件下 PCE 超过 74%，为 3D 传感、光互连及 LiDAR 等绿色光子学应用奠定了坚实的器件基础，充分展现了多结 VCSEL 在效率提升上的巨大潜力。

长光华芯光学技术研发总监俞浩博士在 LASE – High Power Diode Laser Technology XXIV 会议上发表题为 Kilowatt-Class High-Brightness Blue Diode Laser Using Actively Controlled Dense Wavelength Beam Combining Technology for Material Processing 的学术报告，重点介绍了公司自主研发的主动密集光谱合束技术，以及基于该技术研制的千瓦级高亮度蓝光半导体激光器。

该激光器具备以下突出特性：

卓越光束质量：优于 5 mm·mrad，等效于 100 μm/0.1 NA 光纤的光束质量，达到了常规蓝光半导体激光器难以企及的亮度。
高效加工能力：可广泛应用于高反金属材料焊接、3D 金属打印等金属材料加工领域，大幅提升加工效率。现场演示了在无保护气体条件下完成 1 mm 铜板的钻孔与焊接视频，展现出优异的工艺适应性。
可扩展功率方案：未来通过将激光耦合进 105 μm/0.22 NA 光纤，并采用光纤合束技术，可实现 200 μm/0.22 NA 光纤输出功率超 6 kW，满足更高功率工业应用需求。

此项成果不仅彰显了长光华芯在高功率蓝光激光领域的自主创新能力，也为高反金属材料加工提供了高效、可靠的国产化解决方案，有望推动相关产业的工艺升级与降本增效。

长光华芯项目研究员谭少阳博士在 LASE – High-Power Diode Laser Technology XXIV 会议上，发表题为 High Efficiency and wavelength stabilized 78X–80X nm Laser Diodes 的学术报告，重点介绍了团队在高功率半导体单管芯片领域的最新突破。

通过外延结构优化，长光华芯实现了 780–808 nm 波段激光二极管在 12 W 输出功率下效率突破 65% 的优异性能；进一步结合内置光栅波长锁定技术，在输出功率超过 14 W 时仍保持约 0.3 nm 的窄光谱宽度，且该成果已通过长期寿命认证，充分验证了高功率半导体激光芯片的高效性与可靠性，为高功率工业与传感应用提供了稳定、先进的芯片方案。

长光华芯研发总监兼 CTO 助理肖垚博士在 OPTO – Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers XXX 会议上，发表题为 High-Performance Common-Anode Multi-Junction VCSEL Arrays for LiDAR Applications 的学术报告，系统分享了公司在共阳极多结 VCSEL 领域的最新研究与产品进展。

报告显示，长光华芯成功研制出：

8 结（8J）VCSEL 阵列：峰值输出功率 >300 W，光束发散角 <16°，功率转换效率（PCE）>33%；在 25 ℃至 125 ℃温度范围内，输出功率衰减 <13%，展现出优异的热稳定性。
12 结（12J）VCSEL 阵列：在无热反转条件下实现 1100 W 输出，单孔径功率密度高达 24,000 W/mm²，阵列级功率密度 >7,500 W/mm²；在 5 ns 脉宽、结温 125 ℃的高温加速寿命（HTOL）测试中，累计运行时间已突破 10,000 小时，验证了长期可靠性。
可寻址 2D VCSEL：单通道输出 >100 W，通道规模可达 16×32，具备高密度空间控制能力。

该研究不仅突破了高功率、高效率与高热稳定性的多重瓶颈，更提出了面向 LiDAR 应用的可量产解决方案，为下一代激光雷达光源与系统的发展提供了重要参考与工程化路径。

四川大学副研究员苟于单博士（长光华芯项目研究员谭少阳博士代讲）在 OPTO – Physics, Simulation, and Photonic Engineering of Photovoltaic Devices XV 会议上，发表题为 GaAs- and InP-Based Multijunction 1064 nm Laser Power Converters 的学术报告，分享了四川大学与长光华芯联合研发的激光能量传输电池最新进展。团队针对 1064 nm 激光能量传输应用，设计并制备了两种多结激光电池方案：其一基于 InP 衬底，生长晶格匹配的高质量 InGaAsP 吸收区，确保优异的光电性能；其二采用大尺寸 GaAs 衬底，构建晶格失配的 InGaAs 吸收区，在保持良好性能的同时显著提升成本效益与规模化量产能力。该合作研究兼顾高性能与产业化可行性，为激光能量传输技术的推广应用提供了新路径。

这些成果体现了长光华芯在前沿基础研究与产业转化上的持续投入，并与全球顶尖科研力量同频共振，引领行业发展方向。

展位人潮涌动，国际影响力持续提升

展会期间，长光华芯位于1931号的展位吸引了全球众多专业观众、潜在客户及行业伙伴驻足。依托覆盖全面的产品矩阵、领先的性能参数，以及从芯片到系统的完整解决方案能力，展位现场咨询交流氛围热烈、人流如织。公司团队与来访嘉宾围绕产品性能、技术细节、应用方案及合作机遇展开了广泛而深入的探讨。此次参展不仅是一次集中展示创新成果的窗口，更标志着长光华芯在深化国际客户链接、加速拓展海外高端市场的进程中迈出了坚实一步。

从刷新世界纪录的百瓦级单管芯片，到突破理论极限的VCSEL，再到驱动数据中心高速演进的光通信芯片，长光华芯持续深耕核心技术，凭借深厚的科研积淀与领先产品矩阵，持续开拓海外市场，以光为刃，开启全球化新篇章！

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